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口頭

ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構; Hfの蒸着量に依存した表面界面酸化状態の違い

垣内 拓大*; 津田 泰孝; 吉越 章隆

no journal, , 

HfO$$_{2}$$は、Si半導体デバイスの高誘電率ゲート絶縁膜材料として注目を集めている。本研究では、約0.5、2.0MLの異なる量のHfが吸着したSi(111)上にO$$_{2}$$ガス曝露(並進エネルギー:0.03eV)および超音速O$$_{2}$$分子線(並進エネルギー:0.39、2.2eV)によって酸化した試料のHf4f, Si2p, O1s光電子スペクトルで調べた。0.5MLの低被服率では、HfがSi(111)-7$$times$$7上のrest-atomやadatom上に吸着して特異な局所構造(hexagonal structure)を形成し、その周辺でのみ酸化が進行しHf$$^{3+}$$シリケートまでとなる。一方、2.0MLでは、酸化反応が表面金属Hf層全域で速やかに進行するため、Hf$$^{4+}$$シリケートまで生成すると考えられる。

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